高纯 硅Si 靶材
2022-11-09
- 溅射靶材工艺流程：
原料粉末 → 粉末冶炼 → 粉末混合 → 压制成型 → 气氛烧结 → 塑性加工 → 热处理→ 超声探伤 → 水切割 → 机械加工 → 金属化 → 绑定 → 超声测试 → 超声清洗 → 终检 → 包装出库
成分质量控制
原料成分分析：
通过ICP、GDMS等设备检测分析，金属杂质含量，确保纯度达标；
通过碳硫分析仪，氮氧分析仪等设备对非金属杂质含量进行检测。
金相探伤分析：
通过探伤设备检测产出靶材，确保产品内部无缺陷、缩孔；
通过金相测试，检测靶材内部晶粒程度，确保晶粒细密。
外观尺寸检测：
通过千分尺、精密卡尺，测量产品尺寸，确保符合客户图纸要求；
通过表面清洁度测量仪，测量产品表面光洁度和清洁度。
包装及保存说明
出库包装：内部真空袋真空包装，外部贴标（可根据需求包装），纸箱泡沫垫快递运输。
储存方法：储存于干燥环境中，避免潮湿，密封包装，轻拿轻放，防压防撞。
使用注意：使用前请带上防尘手套操作，观察靶材表面是否清洁，避免直接用手接触操作，及其他异物污染到靶材。
| 元素介绍 | 元素性质 | ||
| 中文名 | 硅 | 膨胀系数 | （25℃）2.6μm·m-1·K-1 |
| 元素符号 | Si | 热导率 | 149W·m-1·K-1 |
| CAS号 | 7440-21-3 | 电阻率 | （20℃）103nΩ·m |
| 物态 | 固体 | 杨氏模量 | 130-188 GPa |
| 密度 | 2.33g·cm3 | 剪切模量 | 51-80 GPa |
| 熔点 | 1414℃ | 体积模量 | 97.6 GPa |
| 沸点 | 3265℃ | 莫氏硬度 | 7 |
| 熔化热 | 50.21 kJ·mol-1 | 泊松比 | 0.064-0.28[6] |
| 汽化热 | 359 kJ·mol-1 | 磁序 | 反磁性 |
| 比热容 | 19.789 J·mol-1·K-1 | 晶体结构 | 钻石 |
适用设备及应用领域
适用设备：应用于PVD技术镀膜材料，各种单靶材系统，多靶溅射系统，离子溅射系统等磁控溅射设备
应用领域：科学实验研究方面应用，纳米加工，器件制造等相关产品，广泛应用于平面显示、半导体、太阳能电池、光学元器件、节能玻璃等领域。
适用设备：应用于PVD技术镀膜材料，各种单靶材系统，多靶溅射系统，离子溅射系统等磁控溅射设备
应用领域：科学实验研究方面应用，纳米加工，器件制造等相关产品，广泛应用于平面显示、半导体、太阳能电池、光学元器件、节能玻璃等领域。
